可控硅損壞分析

     新年伊始，就有客戶迫不及待的給我反饋機器停擺，要公司技術趕緊分析一下現場情況，瑞新技術在看了之后，小編整理了一篇文檔供大家參考：

1. 現場反饋：

損壞后芯片照片

 

 

 

 

2. 損壞情況：可控硅損壞的位置在門極整個區域，損壞的區域大且程度嚴重！

3. 原因分析:

3.1 觸發回路有強電信號(干擾信號或隔離出問題)串入，導致可控硅門極損壞。這是最大可能的原因！

3.2 元件的門極電流值偏大，導通不徹底 (同時有觸發器功率小的因素)，電流擴展不及，導致門極區域損壞。